Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / MUR190A R1G
Herstellerteilenummer | MUR190A R1G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MUR190A R1G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MUR190A R1G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 900V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 1A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 1A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 75ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 5µA @ 900V |
Kapazität @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | DO-204AL, DO-41, Axial |
Supplier Device Package | DO-204AL (DO-41) |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 175°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUR190A R1G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MUR190A R1G-FT |
1N4005GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4005GHR1G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4006G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4006G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4006G R1G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4006GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4006GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4006GHR1G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4007G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4007G R1G
Taiwan Semiconductor Corporation
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel