Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Arrays / MUR20060CTR
Herstellerteilenummer | MUR20060CTR |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MUR20060CTR |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MUR20060CTR Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Anode |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 600V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 200A (DC) |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 50A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 110ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 25µA @ 50V |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / fall | Twin Tower |
Supplier Device Package | Twin Tower |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUR20060CTR Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MUR20060CTR-FT |
DD600N16KHPSA3
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DD600N18KHPSA2
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DD89N12KAHPSA1
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DD89N12KHPSA1
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DD89N14KKHPSA1
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DD89N16KAHPSA1
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A40MX04-VQ80
Microsemi Corporation
XC2V4000-4FF1517I
Xilinx Inc.
M1AFS1500-FG256
Microsemi Corporation
A1020B-1PL68I
Microsemi Corporation
10CX150YF672E6G
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A54SX16A-FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-12E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC5C6F23C7N
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10AX066K2F35I2SGES
Intel
EP2SGX90FF1508C3N
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