Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Arrays / MUR30010CTR
Herstellerteilenummer | MUR30010CTR |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-MUR30010CTR |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MUR30010CTR Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Anode |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 100V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 300A (DC) |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 100A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 90ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 25µA @ 50V |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / fall | Twin Tower |
Supplier Device Package | Twin Tower |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUR30010CTR Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MUR30010CTR-FT |
DD89N12KAHPSA1
Infineon Technologies
DD89N12KHPSA1
Infineon Technologies
DD89N12KKHPSA1
Infineon Technologies
DD89N14KHPSA1
Infineon Technologies
DD89N14KKHPSA1
Infineon Technologies
DD89N16KAHPSA1
Infineon Technologies
DD89N16KHPSA1
Infineon Technologies
DD89N16KKHPSA1
Infineon Technologies
DD89N18KHPSA1
Infineon Technologies
DD98N22KHPSA1
Infineon Technologies
XC3S1400A-4FGG676C
Xilinx Inc.
AGLN060V2-CSG81
Microsemi Corporation
APA600-BG456I
Microsemi Corporation
5SGXEA7H3F35I3LN
Intel
EP4SE820H35C3N
Intel
XC5VLX110-2FFG1153I
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FFG896I
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CPG238I
Xilinx Inc.
EP1S20F780C5N
Intel
EP1S30F780C5N
Intel