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Herstellerteilenummer | MUR40010CTR |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MUR40010CTR |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MUR40010CTR Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Anode |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 100V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 400A (DC) |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 125A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 90ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 25µA @ 50V |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / fall | Twin Tower |
Supplier Device Package | Twin Tower |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUR40010CTR Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MUR40010CTR-FT |
DD98N25KHPSA1
Infineon Technologies
GP2D016A120U
Global Power Technologies Group
GP2D020A060U
Global Power Technologies Group
GP2D024A060U
Global Power Technologies Group
MF400K06F3-BP
Micro Commercial Co
ND175N34KHPSA1
Infineon Technologies
ND89N08KHPSA1
Infineon Technologies
V30D45CHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30D60CHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
B482F-2T
Sensata-Crydom
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
XC6VLX130T-2FFG484C
Xilinx Inc.
A3PE3000-FGG484I
Microsemi Corporation
LIF-MD6000-6UWG36ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CF672C7GZ
Intel
EP3C120F484I7
Intel
5SGXEA4K3F40C2LN
Intel
5SGXMA3E3H29I3LN
Intel
EP4CGX30BF14C8
Intel
10M02DCV36I7G
Intel