Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / MUR860HC0G
Herstellerteilenummer | MUR860HC0G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MUR860HC0G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
MUR860HC0G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 600V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 8A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 8A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 50ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 5µA @ 600V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-220-2 |
Supplier Device Package | TO-220AC |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 175°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUR860HC0G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MUR860HC0G-FT |
SFA807GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFA808GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRA10100HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRA10150 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRA10150HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRA1020 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRA1020HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRA1030 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRA1030HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRA1040 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel