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Herstellerteilenummer | MURF10010R |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MURF10010R |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MURF10010R Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Anode |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 100V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 100A (DC) |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 50A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 75ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 25µA @ 50V |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / fall | TO-244AB |
Supplier Device Package | TO-244 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MURF10010R Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MURF10010R-FT |
MBRF30H90CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MDA600-12N1
IXYS
MDA600-14N1
IXYS
MDA600-16N1
IXYS
MDA600-18N1
IXYS
MDA600-20N1
IXYS
MDA600-22N1
IXYS
MDA95-22N1B
IXYS
MDA950-12N1W
IXYS
MDA950-14N1W
IXYS
LCMXO1200C-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL090-FGG484
Microsemi Corporation
10AX032H3F34I2SG
Intel
XC4005-5PC84C
Xilinx Inc.
A3PE1500-1FGG676
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U2F45I1SG
Intel
10AX115R3F40I3SGES
Intel
5AGTMC7G3F31I5N
Intel