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Herstellerteilenummer | MURF20010 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MURF20010 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MURF20010 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 100V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 200A (DC) |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 100A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 75ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 25µA @ 50V |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / fall | TO-244AB |
Supplier Device Package | TO-244 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MURF20010 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MURF20010-FT |
MDA600-20N1
IXYS
MDA600-22N1
IXYS
MDA95-22N1B
IXYS
MDA950-12N1W
IXYS
MDA950-14N1W
IXYS
MDA950-16N1W
IXYS
MDA950-18N1W
IXYS
MDA950-20N1W
IXYS
MDA950-22N1W
IXYS
MDD600-12N1
IXYS
XCS20XL-5TQ144C
Xilinx Inc.
EP20K60ETC144-3
Intel
LFXP6C-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP6E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX16-N3FT256I
Xilinx Inc.
XC3S700A-5FGG484C
Xilinx Inc.
APA300-PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F40C4N
Intel
5SGXEA7H2F35C2L
Intel
10AX057K4F35E3SG
Intel