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Herstellerteilenummer | MURHB860CTT4G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MURHB860CTT4G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | MEGAHERTZ™ |
MURHB860CTT4G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 600V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 4A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 2.8V @ 4A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 35ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 10µA @ 600V |
Betriebstemperatur - Übergang | -65°C ~ 175°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Supplier Device Package | D2PAK-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MURHB860CTT4G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MURHB860CTT4G-FT |
M1MA141WKT1
ON Semiconductor
M1MA141WKT1G
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MMBD717LT1
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Xilinx Inc.
A42MX09-3PQ160
Microsemi Corporation
5CGXFC7C6U19C6N
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EPF10K50VBC356-4N
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