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Herstellerteilenummer | MURT10010R |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MURT10010R |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MURT10010R Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Anode |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 100V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 100A (DC) |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 50A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 75ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 25µA @ 50V |
Betriebstemperatur - Übergang | - |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / fall | Three Tower |
Supplier Device Package | Three Tower |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MURT10010R Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MURT10010R-FT |
MBRT30020R
GeneSiC Semiconductor
MBRT30030
GeneSiC Semiconductor
MBRT30030R
GeneSiC Semiconductor
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MBRT30045R
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MBRT30060
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MBRT30060R
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MBRT30080
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MBRT30080R
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XC7S6-1FTGB196I
Xilinx Inc.
AX250-1FG256I
Microsemi Corporation
APA750-PQG208
Microsemi Corporation
A3PN030-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP3C16F256C6
Intel
5SGXEA7N3F40C4N
Intel
XC7VX415T-2FFG1158C
Xilinx Inc.
LFEC6E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C4F400C8
Intel
EP2AGZ300FF35C4N
Intel