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Herstellerteilenummer | MURT20060R |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MURT20060R |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MURT20060R Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Anode |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 600V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 200A (DC) |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 100A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 160ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 25µA @ 50V |
Betriebstemperatur - Übergang | - |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / fall | Three Tower |
Supplier Device Package | Three Tower |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MURT20060R Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MURT20060R-FT |
MBRT40020R
GeneSiC Semiconductor
MBRT40030
GeneSiC Semiconductor
MBRT40030R
GeneSiC Semiconductor
MBRT40035
GeneSiC Semiconductor
MBRT40035R
GeneSiC Semiconductor
MBRT40040
GeneSiC Semiconductor
MBRT40040R
GeneSiC Semiconductor
MBRT40045R
GeneSiC Semiconductor
MBRT40060
GeneSiC Semiconductor
MBRT40060R
GeneSiC Semiconductor
XA6SLX25-3FGG484Q
Xilinx Inc.
M1A3P250-2PQG208I
Microsemi Corporation
EP20K300EFC672-1
Intel
10CL055YU484I7G
Intel
EP3SL50F484C4L
Intel
5SGXEA7N3F45I3LN
Intel
XA6SLX9-2CSG225Q
Xilinx Inc.
AGL125V2-FGG144
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-7FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation