Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Arrays / MURTA200120R
Herstellerteilenummer | MURTA200120R |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MURTA200120R |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MURTA200120R Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Anode |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 1200V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 100A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 2.6V @ 100A |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 25µA @ 1200V |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / fall | Three Tower |
Supplier Device Package | Three Tower |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MURTA200120R Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MURTA200120R-FT |
MBRT50035
GeneSiC Semiconductor
MBRT50035R
GeneSiC Semiconductor
MBRT50040
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MBRT50040R
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MBRT50045R
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MBRT50080R
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EP20K160ETC144-1X
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XC6SLX45-L1FGG484C
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AGLN250V5-ZCSG81I
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EPF10K100EFC484-1N
Intel
EPF10K30AFC484-3
Intel
5SGXEA4K1F40C2N
Intel
XC7V585T-L2FFG1157E
Xilinx Inc.
A42MX09-3PQ160
Microsemi Corporation
5CGXFC7C6U19C6N
Intel
EPF10K50VBC356-4N
Intel