Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Arrays / MURTA400120R
Herstellerteilenummer | MURTA400120R |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MURTA400120R |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MURTA400120R Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Anode |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 1200V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 200A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 2.6V @ 200A |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 25µA @ 1200V |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / fall | Three Tower |
Supplier Device Package | Three Tower |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MURTA400120R Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MURTA400120R-FT |
MBRT60020R
GeneSiC Semiconductor
MBRT60030
GeneSiC Semiconductor
MBRT60030R
GeneSiC Semiconductor
MBRT60035
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MBRT60035R
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MBRT60040
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MBRT60040R
GeneSiC Semiconductor
MBRT60045
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MBRT60045R
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MBRT60060
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EX128-FTQ64
Microsemi Corporation
EP1K10TC144-2
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XC3S200-4FT256I
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XCVU080-2FFVD1517E
Xilinx Inc.
5SGXEABN2F45C2N
Intel
XC4010E-3PC84C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-2FFG1156C
Xilinx Inc.
A42MX09-PQG160M
Microsemi Corporation
5AGXMA3D4F31C5N
Intel
EPF10K50SQC208-3N
Intel