Zuhause / Produkte / Sicherung / TVS - Dioden / MV1N8147US
Herstellerteilenummer | MV1N8147US |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MV1N8147US |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | * |
MV1N8147US Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | - |
Unidirektionale Kanäle | - |
Bidirektionale Kanäle | - |
Spannung - Reverse Standoff (Typ) | - |
Spannung - Durchschlag (min.) | - |
Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp | - |
Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000µs) | - |
Leistung - Spitzenimpuls | - |
Stromleitungsschutz | - |
Anwendungen | - |
Kapazität bei Frequenz | - |
Betriebstemperatur | - |
Befestigungsart | - |
Paket / fall | - |
Supplier Device Package | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MV1N8147US Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MV1N8147US-FT |
MSMCGLCE28A
Microsemi Corporation
MSMCGLCE28AE3
Microsemi Corporation
MSMCGLCE30A
Microsemi Corporation
MSMCGLCE30AE3
Microsemi Corporation
MSMCGLCE33A
Microsemi Corporation
MSMCGLCE33AE3
Microsemi Corporation
MSMCGLCE36A
Microsemi Corporation
MSMCGLCE36AE3
Microsemi Corporation
MSMCGLCE40A
Microsemi Corporation
MSMCGLCE40AE3
Microsemi Corporation
A42MX16-2PQG100
Microsemi Corporation
XA6SLX45T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A54SX32A-CQ84M
Microsemi Corporation
A54SX08-2VQG100
Microsemi Corporation
AT40K10LV-3EQI
Microchip Technology
EPF10K100ABC600-2
Intel
EP4SGX290FH29C3
Intel
EP4CE22E22I8LN
Intel
5SGXEA4H1F35C2N
Intel
EP20K100CQ240C7ES
Intel