Zuhause / Produkte / Sicherung / TVS - Dioden / MV1N8147US
Herstellerteilenummer | MV1N8147US |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-MV1N8147US |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | * |
MV1N8147US Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | - |
Unidirektionale Kanäle | - |
Bidirektionale Kanäle | - |
Spannung - Reverse Standoff (Typ) | - |
Spannung - Durchschlag (min.) | - |
Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp | - |
Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000µs) | - |
Leistung - Spitzenimpuls | - |
Stromleitungsschutz | - |
Anwendungen | - |
Kapazität bei Frequenz | - |
Betriebstemperatur | - |
Befestigungsart | - |
Paket / fall | - |
Supplier Device Package | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MV1N8147US Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MV1N8147US-FT |
MSMCGLCE28A
Microsemi Corporation
MSMCGLCE28AE3
Microsemi Corporation
MSMCGLCE30A
Microsemi Corporation
MSMCGLCE30AE3
Microsemi Corporation
MSMCGLCE33A
Microsemi Corporation
MSMCGLCE33AE3
Microsemi Corporation
MSMCGLCE36A
Microsemi Corporation
MSMCGLCE36AE3
Microsemi Corporation
MSMCGLCE40A
Microsemi Corporation
MSMCGLCE40AE3
Microsemi Corporation
LFE2-12E-7TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K30EFC484-1X
Intel
5SGXEA7K1F35C1N
Intel
XC6VLX130T-2FF784I
Xilinx Inc.
A42MX16-PL84
Microsemi Corporation
A42MX24-TQG176
Microsemi Corporation
LFE2M50SE-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K4F40I3LG
Intel
EP3C55F780C7
Intel
EP4CE75F29I7
Intel