Zuhause / Produkte / Sicherung / TVS - Dioden / MV1N8150US
Herstellerteilenummer | MV1N8150US |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-MV1N8150US |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | * |
MV1N8150US Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | - |
Unidirektionale Kanäle | - |
Bidirektionale Kanäle | - |
Spannung - Reverse Standoff (Typ) | - |
Spannung - Durchschlag (min.) | - |
Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp | - |
Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000µs) | - |
Leistung - Spitzenimpuls | - |
Stromleitungsschutz | - |
Anwendungen | - |
Kapazität bei Frequenz | - |
Betriebstemperatur | - |
Befestigungsart | - |
Paket / fall | - |
Supplier Device Package | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MV1N8150US Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MV1N8150US-FT |
MSMCGLCE33A
Microsemi Corporation
MSMCGLCE33AE3
Microsemi Corporation
MSMCGLCE36A
Microsemi Corporation
MSMCGLCE36AE3
Microsemi Corporation
MSMCGLCE40A
Microsemi Corporation
MSMCGLCE40AE3
Microsemi Corporation
MSMCGLCE43A
Microsemi Corporation
MSMCGLCE43AE3
Microsemi Corporation
MSMCGLCE45A
Microsemi Corporation
MSMCGLCE45AE3
Microsemi Corporation
XC7S50-1FTGB196C
Xilinx Inc.
A42MX36-1PQG240M
Microsemi Corporation
A3PN250-Z2VQ100I
Microsemi Corporation
A54SX16P-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C4
Intel
5SGXEB5R1F40I2N
Intel
XC6SLX45-3CSG324I
Xilinx Inc.
EP4SE230F29C4
Intel
EP4SGX180DF29C2XN
Intel
EP4CE30F19A7N
Intel