Zuhause / Produkte / Sicherung / TVS - Dioden / MV1N8157US
Herstellerteilenummer | MV1N8157US |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-MV1N8157US |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | * |
MV1N8157US Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | - |
Unidirektionale Kanäle | - |
Bidirektionale Kanäle | - |
Spannung - Reverse Standoff (Typ) | - |
Spannung - Durchschlag (min.) | - |
Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp | - |
Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000µs) | - |
Leistung - Spitzenimpuls | - |
Stromleitungsschutz | - |
Anwendungen | - |
Kapazität bei Frequenz | - |
Betriebstemperatur | - |
Befestigungsart | - |
Paket / fall | - |
Supplier Device Package | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MV1N8157US Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MV1N8157US-FT |
MSMCGLCE58A
Microsemi Corporation
MSMCGLCE58AE3
Microsemi Corporation
MSMCGLCE60A
Microsemi Corporation
MSMCGLCE60AE3
Microsemi Corporation
MSMCGLCE64A
Microsemi Corporation
MSMCGLCE64AE3
Microsemi Corporation
MSMCGLCE7.0A
Microsemi Corporation
MSMCGLCE7.0AE3
Microsemi Corporation
MSMCGLCE7.5A
Microsemi Corporation
MSMCGLCE7.5AE3
Microsemi Corporation
LFE2-6E-7T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S400-5FT256C
Xilinx Inc.
A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3PN250-ZVQG100
Microsemi Corporation
5CEFA9F27C8N
Intel
5SGXEA3K2F40C3
Intel
10AX022E3F29E2SG
Intel
EP4CE10E22C8LN
Intel
5SGXEB6R2F43I2L
Intel
XC7A200T-2FF1156I
Xilinx Inc.