Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - JFETs / MV2N5114
Herstellerteilenummer | MV2N5114 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MV2N5114 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Military, MIL-PRF-19500 |
MV2N5114 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | P-Channel |
Spannung - Durchschlag (V (BR) GSS) | 30V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 90mA @ 18V |
Stromaufnahme (Id) - max | - |
Spannung - Abschaltung (VGS aus) @ Id | 10V @ 1nA |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 25pF @ 15V |
Widerstand - RDS (Ein) | 75 Ohms |
Leistung max | 500mW |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
Supplier Device Package | TO-18 (TO-206AA) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MV2N5114 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MV2N5114-FT |
2N4859JAN02
Vishay Siliconix
2N4859JTX02
Vishay Siliconix
2N4859JTXL02
Vishay Siliconix
2N4859JTXV02
Vishay Siliconix
2N4860JAN02
Vishay Siliconix
2N4860JTX02
Vishay Siliconix
2N4860JTXL02
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2N4860JTXV02
Vishay Siliconix
2N4861JAN02
Vishay Siliconix
2N4861JTX02
Vishay Siliconix
XCKU060-3FFVA1517E
Xilinx Inc.
EP1SGX25DF672C5N
Intel
EP20K30EFC144-3
Intel
5SGXEA3K3F35C2N
Intel
EP4SE360F35I4N
Intel
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
LFE2-70E-7F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HE-6FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-6FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S30B956C7
Intel