Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - JFETs / MV2N5116
Herstellerteilenummer | MV2N5116 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MV2N5116 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Military, MIL-PRF-19500 |
MV2N5116 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | P-Channel |
Spannung - Durchschlag (V (BR) GSS) | 30V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 25mA @ 15V |
Stromaufnahme (Id) - max | - |
Spannung - Abschaltung (VGS aus) @ Id | 6V @ 1nA |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 27pF @ 15V |
Widerstand - RDS (Ein) | 100 Ohms |
Leistung max | 500mW |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
Supplier Device Package | TO-18 (TO-206AA) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MV2N5116 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MV2N5116-FT |
2N4859JTX02
Vishay Siliconix
2N4859JTXL02
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Intel
EP2C70F672C8
Intel
EP1K30FC256-3N
Intel
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Intel
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Xilinx Inc.
A42MX24-1PQG160M
Microsemi Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
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