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ON Semiconductor MVB50P03HDLT4G

MFG-Teilenummer
MVB50P03HDLT4G
verfügbare Anzahl
19610 Stücke
Referenzpreis
USD 0
Unser Preis
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
Automotive, AEC-Q101 INTEGRATED CIRCUIT
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
MVB50P03HDLT4G.pdf
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MVB50P03HDLT4G Spezifikationen

Herstellerteilenummer MVB50P03HDLT4G
Zukünftige Teilenummer FT-MVB50P03HDLT4G
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie Automotive, AEC-Q101
MVB50P03HDLT4G Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Obsolete
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 50A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25 mOhm @ 25A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 100nC @ 5V
Vgs (Max) ±15V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4.9nF @ 25V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 125W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package D2PAK-3
Paket / fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
MVB50P03HDLT4G Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer MVB50P03HDLT4G-FT

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