Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Module / MWI100-12T8T
Herstellerteilenummer | MWI100-12T8T |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MWI100-12T8T |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
MWI100-12T8T Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
IGBT-Typ | Trench |
Aufbau | Three Phase Inverter |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 1200V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 145A |
Leistung max | 480W |
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 100A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 4mA |
Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 7.21nF @ 25V |
Eingang | Standard |
NTC-Thermistor | Yes |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / fall | E3 |
Supplier Device Package | E3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MWI100-12T8T Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MWI100-12T8T-FT |
APTGTQ100DA65T1G
Microsemi Corporation
APTGTQ100DDA65T3G
Microsemi Corporation
APTGTQ100H65T3G
Microsemi Corporation
APTGTQ100SK65T1G
Microsemi Corporation
APTGTQ150TA65TPG
Microsemi Corporation
APTGTQ200A65T3G
Microsemi Corporation
APTGTQ200DA65T3G
Microsemi Corporation
APTGTQ200SK65T3G
Microsemi Corporation
APTGTQ50TA65T3G
Microsemi Corporation
DDB6U180N16RRB37BOSA1
Infineon Technologies
XC4005E-3PQ100I
Xilinx Inc.
XC2V250-6FGG456C
Xilinx Inc.
AGLN250V2-ZCSG81
Microsemi Corporation
M1A3PE3000-PQG208I
Microsemi Corporation
10AX016C4U19E3LG
Intel
10M50DAF484I6G
Intel
EP4CE22F17C8
Intel
LCMXO640E-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX190EF29I5G
Intel
EP4SGX110FF35C4
Intel