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Herstellerteilenummer | MX2N5114 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MX2N5114 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Military, MIL-PRF-19500 |
MX2N5114 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | P-Channel |
Spannung - Durchschlag (V (BR) GSS) | 30V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 90mA @ 18V |
Stromaufnahme (Id) - max | - |
Spannung - Abschaltung (VGS aus) @ Id | 10V @ 1nA |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 25pF @ 15V |
Widerstand - RDS (Ein) | 75 Ohms |
Leistung max | 500mW |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
Supplier Device Package | TO-18 (TO-206AA) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MX2N5114 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MX2N5114-FT |
2N5114UB
Microsemi Corporation
2N5115-E3
Vishay Siliconix
2N5115JAN02
Vishay Siliconix
2N5115JTVL02
Vishay Siliconix
2N5115JTX02
Vishay Siliconix
2N5115JTXL02
Vishay Siliconix
2N5115JTXV02
Vishay Siliconix
2N5116-E3
Vishay Siliconix
2N5116JAN02
Vishay Siliconix
2N5116JTXV02
Vishay Siliconix
XA3S1600E-4FGG484I
Xilinx Inc.
M2GL005S-1FGG484I
Microsemi Corporation
AFS090-1FG256I
Microsemi Corporation
5CEBA4F17C7N
Intel
5SEEBF45I4N
Intel
XC7K160T-1FB484I
Xilinx Inc.
LFXP6E-4F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-4300E-5MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016E3F27E2LG
Intel
EPF10K130EBC356-3
Intel