Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - JFETs / MX2N5116
Herstellerteilenummer | MX2N5116 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-MX2N5116 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Military, MIL-PRF-19500 |
MX2N5116 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | P-Channel |
Spannung - Durchschlag (V (BR) GSS) | 30V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 25mA @ 15V |
Stromaufnahme (Id) - max | - |
Spannung - Abschaltung (VGS aus) @ Id | 4V @ 1nA |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 27pF @ 15V |
Widerstand - RDS (Ein) | 175 Ohms |
Leistung max | 500mW |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
Supplier Device Package | TO-18 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MX2N5116 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | MX2N5116-FT |
2N5115-E3
Vishay Siliconix
2N5115JAN02
Vishay Siliconix
2N5115JTVL02
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2N5115JTX02
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2N5115JTXL02
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2N5116UB
Microsemi Corporation
EPF6010ATC144-2
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A3P600L-1FGG484
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5SGXEA7N3F45I3N
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EP4S40G5H40I3N
Intel
A42MX09-FPQ160
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG160I
Microsemi Corporation
A42MX16-PQ160M
Microsemi Corporation
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LCMXO1200C-3BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R3F40E2SG
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