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Herstellerteilenummer | NAND02GR3B2DN6E |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NAND02GR3B2DN6E |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NAND02GR3B2DN6E Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Speichertyp | Non-Volatile |
Speicherformat | FLASH |
Technologie | FLASH - NAND |
Speichergröße | 2Gb (256M x 8) |
Taktfrequenz | - |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 45ns |
Zugriffszeit | 45ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 1.7V ~ 1.95V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Supplier Device Package | 48-TSOP |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NAND02GR3B2DN6E Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NAND02GR3B2DN6E-FT |
MT29F1G08ABADAWP:D
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABADAWP:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABAEAWP-ITX:E
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CJAAAWP-ITZ:A
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CJAAAWP-ITZ:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CJAAAWP-Z:A
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CJAAAWP-Z:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CJAAAWP:A
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CJAABWP-12:A
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CJAABWP-12Z:A
Micron Technology Inc.
A54SX32A-TQG144
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED8K3F40I4N
Intel
10CX150YF672E6G
Intel
5SGXEA9N3F45I4N
Intel
LFEC33E-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-5BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H3F34E2SG
Intel
EP3SE50F780C4
Intel