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Herstellerteilenummer | NAND04GR3B2DN6E |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NAND04GR3B2DN6E |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NAND04GR3B2DN6E Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Discontinued at Future Semiconductor |
Speichertyp | Non-Volatile |
Speicherformat | FLASH |
Technologie | FLASH - NAND |
Speichergröße | 4Gb (512M x 8) |
Taktfrequenz | - |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 25ns |
Zugriffszeit | 25ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 1.7V ~ 1.95V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Supplier Device Package | 48-TSOP |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NAND04GR3B2DN6E Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NAND04GR3B2DN6E-FT |
MT29F1G08ABAEAWP-ITX:E
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CJAAAWP-ITZ:A
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CJAAAWP-ITZ:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CJAAAWP-Z:A
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CJAAAWP-Z:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CJAAAWP:A
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CJAABWP-12:A
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CJAABWP-12Z:A
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CJAABWP-12Z:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08AAAWP TR
Micron Technology Inc.
LCMXO2-1200ZE-1UWG25ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S25B672C6N
Intel
XC2V1000-4BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C4N
Intel
EPF10K30RC208-3N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel