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Herstellerteilenummer | NAND04GR3B2DN6E |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NAND04GR3B2DN6E |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NAND04GR3B2DN6E Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Discontinued at Future Semiconductor |
Speichertyp | Non-Volatile |
Speicherformat | FLASH |
Technologie | FLASH - NAND |
Speichergröße | 4Gb (512M x 8) |
Taktfrequenz | - |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 25ns |
Zugriffszeit | 25ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 1.7V ~ 1.95V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Supplier Device Package | 48-TSOP |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NAND04GR3B2DN6E Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NAND04GR3B2DN6E-FT |
MT29F1G08ABAEAWP-ITX:E
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CJAAAWP-ITZ:A
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CJAAAWP-ITZ:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CJAAAWP-Z:A
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CJAAAWP-Z:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CJAAAWP:A
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CJAABWP-12:A
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CJAABWP-12Z:A
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CJAABWP-12Z:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08AAAWP TR
Micron Technology Inc.
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
XC4020XL-2HT144C
Xilinx Inc.
A54SX16A-FG256I
Microsemi Corporation
A3PN125-VQG100I
Microsemi Corporation
EP2C35F484I8
Intel
10M08SAU169A7G
Intel
5SGXEA5K1F35C2LN
Intel
5SGXEA4K1F35I2N
Intel
AX1000-1FGG676I
Microsemi Corporation
EPF10K50SQC208-1N
Intel