Zuhause / Produkte / Integrierte Schaltungen (ICs) / Erinnerung / NAND04GW3C2BN6E
Herstellerteilenummer | NAND04GW3C2BN6E |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-NAND04GW3C2BN6E |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NAND04GW3C2BN6E Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Speichertyp | Non-Volatile |
Speicherformat | FLASH |
Technologie | FLASH - NAND |
Speichergröße | 4Gb (512M x 8) |
Taktfrequenz | - |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 25ns |
Zugriffszeit | 25ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 2.7V ~ 3.6V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Supplier Device Package | 48-TSOP |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NAND04GW3C2BN6E Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NAND04GW3C2BN6E-FT |
MT29F256G08CJAAAWP-ITZ:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CJAAAWP-Z:A
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CJAAAWP-Z:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CJAAAWP:A
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CJAABWP-12:A
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CJAABWP-12Z:A
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CJAABWP-12Z:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08AAAWP TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08AABWP TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08AABWP-ET TR
Micron Technology Inc.
EP2C5T144C7
Intel
XCV600-6FG676C
Xilinx Inc.
EP4CGX110CF23I7N
Intel
10M04SFE144C8G
Intel
EP3SL110F1152I4LN
Intel
A42MX16-FPQ100
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-4FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230DF29C2X
Intel
EPF81500ARC240-3
Intel