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Herstellerteilenummer | NAND08GW3C2BN6E |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NAND08GW3C2BN6E |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NAND08GW3C2BN6E Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Speichertyp | Non-Volatile |
Speicherformat | FLASH |
Technologie | FLASH - NAND |
Speichergröße | 8Gb (1G x 8) |
Taktfrequenz | - |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 25ns |
Zugriffszeit | 25ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 2.7V ~ 3.6V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Supplier Device Package | 48-TSOP |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NAND08GW3C2BN6E Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NAND08GW3C2BN6E-FT |
MT29F256G08CJAAAWP-Z:A
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CJAAAWP-Z:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CJAAAWP:A
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CJAABWP-12:A
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CJAABWP-12Z:A
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CJAABWP-12Z:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08AAAWP TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08AABWP TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08AABWP-ET TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08AACWP:C TR
Micron Technology Inc.
XA6SLX25-2FTG256I
Xilinx Inc.
LFE2-20SE-7QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P400-FGG484
Microsemi Corporation
EP1S20F484I6N
Intel
5SEE9F45C2LN
Intel
XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-1FFG1156C
Xilinx Inc.
EP2AGX65DF29I3
Intel
5SGSMD4H3F35I4N
Intel
EPF6016AFC100-1
Intel