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Herstellerteilenummer | NCS20082DR2G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NCS20082DR2G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NCS20082DR2G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Verstärkertyp | General Purpose |
Anzahl der Stromkreise | 2 |
Ausgabetyp | Rail-to-Rail |
Anstiegsrate | 0.4V/µs |
Bandbreitenprodukt gewinnen | 1.2MHz |
-3db Bandbreite | - |
Strom - Eingangsvorspannung | 1pA |
Spannung - Eingangsoffset | 500µV |
Strom - Versorgung | 48µA |
Strom - Ausgang / Kanal | 15mA |
Spannung - Versorgung, Single / Dual (±) | 1.8V ~ 5.5V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Supplier Device Package | 8-SOIC |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NCS20082DR2G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NCS20082DR2G-FT |
TLV271SN2T1G
ON Semiconductor
LMV321SN3T1G
ON Semiconductor
NCS2001SN1T1G
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NCV2001SN2T1G
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NCS325SN2T1G
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NCS7101SN1T1G
ON Semiconductor
NCV7101SN1T1G
ON Semiconductor
XC6SLX100-2FG484C
Xilinx Inc.
EP4CE75F23C8N
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5SGXEA4K2F40I3L
Intel
EP4S100G2F40I1
Intel
5SGXEA9N3F45C2LN
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5SGXMA7H3F35I3LN
Intel
5SGXMA4K2F35I2LN
Intel
APA150-TQG100A
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000HE-6FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10M08DAU324C8GES
Intel