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Herstellerteilenummer | NCV20092DR2G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NCV20092DR2G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q100 |
NCV20092DR2G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Verstärkertyp | General Purpose |
Anzahl der Stromkreise | 2 |
Ausgabetyp | Rail-to-Rail |
Anstiegsrate | 0.17V/µs |
Bandbreitenprodukt gewinnen | 350kHz |
-3db Bandbreite | - |
Strom - Eingangsvorspannung | 1pA |
Spannung - Eingangsoffset | 500µV |
Strom - Versorgung | 23µA |
Strom - Ausgang / Kanal | 8.5mA |
Spannung - Versorgung, Single / Dual (±) | 1.8V ~ 5.5V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Supplier Device Package | 8-SOIC |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NCV20092DR2G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NCV20092DR2G-FT |
NCV213RSQT2G
ON Semiconductor
NCV214RSQT2G
ON Semiconductor
NCS211RSQT2G
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NCS199A1SQT2G
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NCS213SQT2G
ON Semiconductor
NCS214SQT2G
ON Semiconductor
XA2S150E-6FT256I
Xilinx Inc.
EP2C8F256C7
Intel
10AX048K3F35E2LG
Intel
EP4SE530F43C2ES
Intel
EP4CGX15BF14I7N
Intel
A42MX09-1PLG84
Microsemi Corporation
AGL125V5-FG144
Microsemi Corporation
AGL250V5-FG144I
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-9FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB1G6F31C6N
Intel