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NDBA180N10BT4H Image

ON Semiconductor NDBA180N10BT4H

MFG-Teilenummer
NDBA180N10BT4H
verfügbare Anzahl
53880 Stücke
Referenzpreis
USD 0
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
- MOSFET N-CH 100V 180A DPAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
NDBA180N10BT4H.pdf
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NDBA180N10BT4H Spezifikationen

Herstellerteilenummer NDBA180N10BT4H
Zukünftige Teilenummer FT-NDBA180N10BT4H
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie -
NDBA180N10BT4H Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 180A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V, 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.8 mOhm @ 50A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 95nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6950pF @ 50V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 200W (Tc)
Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Paket / fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NDBA180N10BT4H Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer NDBA180N10BT4H-FT

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