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ON Semiconductor NDD03N80Z-1G
- MFG-Teilenummer
- NDD03N80Z-1G
- verfügbare Anzahl
- 68530 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0
- Unser Preis
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- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- ON Semiconductor
- Kurze Beschreibung
- - MOSFET N-CH 800V 2.9A IPAK
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- NDD03N80Z-1G.pdf
NDD03N80Z-1G Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | NDD03N80Z-1G |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-NDD03N80Z-1G |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | - |
| NDD03N80Z-1G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Obsolete |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 800V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 2.9A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5 Ohm @ 1.2A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 440pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 96W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Paket / fall | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| NDD03N80Z-1G Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | NDD03N80Z-1G-FT |
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