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ON Semiconductor NDD60N900U1-1G

Name: NDD60N900U1-1G
Brand: ON Semiconductor
SKU: NDD60N900U1-1G
Availability: InStock
Rating: 4.9 (555 reviews)

MFG-Teilenummer: NDD60N900U1-1G

verfügbare Anzahl: 57940 Stücke

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Hersteller: ON Semiconductor

Kurze Beschreibung: - MOSFET N-CH 600V 5.9A IPAK-4

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: NDD60N900U1-1G.pdf

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NDD60N900U1-1G Spezifikationen

Herstellerteilenummer	NDD60N900U1-1G
Zukünftige Teilenummer	FT-NDD60N900U1-1G
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
NDD60N900U1-1G Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	5.7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	900 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	12nC @ 10V
Vgs (Max)	±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	360pF @ 50V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	74W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Supplier Device Package	I-PAK
Paket / fall	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NDD60N900U1-1G Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	NDD60N900U1-1G-FT

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