Herstellerteilenummer | NDS332P |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NDS332P |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NDS332P Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 1A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.7V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300 mOhm @ 1.1A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 5nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 195pF @ 10V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 500mW (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | SuperSOT-3 |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NDS332P Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NDS332P-FT |
2N7002KA-TP
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2SK1828TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
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Infineon Technologies
MMBF170
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SI2300-TP
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