Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - RF / NE461M02-T1-QR-AZ
Herstellerteilenummer | NE461M02-T1-QR-AZ |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NE461M02-T1-QR-AZ |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NE461M02-T1-QR-AZ Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | NPN |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 15V |
Frequenz - Übergang | - |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz |
Gewinnen | 8.3dB |
Leistung max | 2W |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 60 @ 50mA, 10V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 250mA |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-243AA |
Supplier Device Package | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NE461M02-T1-QR-AZ Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NE461M02-T1-QR-AZ-FT |
MS1006
Microsemi Corporation
MS1007
Microsemi Corporation
MS1008
Microsemi Corporation
MS1014
Microsemi Corporation
MS1015D
Microsemi Corporation
MS1019
Microsemi Corporation
MS1030
Microsemi Corporation
MS1030DE
Microsemi Corporation
MS1051
Microsemi Corporation
MS1076
Microsemi Corporation
XC2S150-5FG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX45-L1FGG484C
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG208
Microsemi Corporation
EP20K400CF672C9
Intel
5CGXFC5C6F27C6N
Intel
5AGXBA1D6F27C6N
Intel
XC6VHX380T-3FFG1154C
Xilinx Inc.
XC7S25-2CSGA324I
Xilinx Inc.
LCMXO3L-2100C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGZME3H3F35I4N
Intel