Zuhause / Produkte / Integrierte Schaltungen (ICs) / Linear - Verstärker - Instrumentierung, Operations / NE5517DR2G
Herstellerteilenummer | NE5517DR2G |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-NE5517DR2G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NE5517DR2G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Verstärkertyp | Transconductance |
Anzahl der Stromkreise | 2 |
Ausgabetyp | Push-Pull |
Anstiegsrate | 50V/µs |
Bandbreitenprodukt gewinnen | 2MHz |
-3db Bandbreite | - |
Strom - Eingangsvorspannung | 400nA |
Spannung - Eingangsoffset | 400µV |
Strom - Versorgung | 2.6mA |
Strom - Ausgang / Kanal | 650µA |
Spannung - Versorgung, Single / Dual (±) | 4V ~ 44V, ±2V ~ 22V |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Supplier Device Package | 16-SOIC |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NE5517DR2G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NE5517DR2G-FT |
EL5300IUZ
Renesas Electronics America Inc.
EL5300IUZ-T13
Renesas Electronics America Inc.
EL5300IUZ-T7
Renesas Electronics America Inc.
EL5302IU
Renesas Electronics America Inc.
EL5302IU-T13
Renesas Electronics America Inc.
EL5302IU-T7
Renesas Electronics America Inc.
EL5302IUZ-T7
Renesas Electronics America Inc.
EL5304IU
Renesas Electronics America Inc.
EL5304IU-T13
Renesas Electronics America Inc.
EL5304IU-T7
Renesas Electronics America Inc.
XC2V250-4FGG456I
Xilinx Inc.
A3PE1500-1FG484I
Microsemi Corporation
LFE2M70SE-6FN1152I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-256ZE-1SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S25B672C6
Intel
5SGXMA3K3F40C2LN
Intel
AGL400V5-FG144I
Microsemi Corporation
5AGXMB5G4F35C4N
Intel
EP4CE40F29I7N
Intel
EP4CE40F29C8L
Intel