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Herstellerteilenummer | NE5517DR2G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NE5517DR2G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NE5517DR2G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Verstärkertyp | Transconductance |
Anzahl der Stromkreise | 2 |
Ausgabetyp | Push-Pull |
Anstiegsrate | 50V/µs |
Bandbreitenprodukt gewinnen | 2MHz |
-3db Bandbreite | - |
Strom - Eingangsvorspannung | 400nA |
Spannung - Eingangsoffset | 400µV |
Strom - Versorgung | 2.6mA |
Strom - Ausgang / Kanal | 650µA |
Spannung - Versorgung, Single / Dual (±) | 4V ~ 44V, ±2V ~ 22V |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Supplier Device Package | 16-SOIC |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NE5517DR2G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NE5517DR2G-FT |
EL5300IUZ
Renesas Electronics America Inc.
EL5300IUZ-T13
Renesas Electronics America Inc.
EL5300IUZ-T7
Renesas Electronics America Inc.
EL5302IU
Renesas Electronics America Inc.
EL5302IU-T13
Renesas Electronics America Inc.
EL5302IU-T7
Renesas Electronics America Inc.
EL5302IUZ-T7
Renesas Electronics America Inc.
EL5304IU
Renesas Electronics America Inc.
EL5304IU-T13
Renesas Electronics America Inc.
EL5304IU-T7
Renesas Electronics America Inc.
XC6SLX4-2TQG144C
Xilinx Inc.
XC4013XL-3PQ208I
Xilinx Inc.
A54SX32A-FG144I
Microsemi Corporation
A3P1000-2PQ208I
Microsemi Corporation
EP3C10E144C8
Intel
XC5VLX30-1FF676C
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-6LFN484I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGTFD3H3F35I3N
Intel
EP2AGX95EF35C6N
Intel
10AX016E4F27I3SG
Intel