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Herstellerteilenummer | NE5517DR2 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NE5517DR2 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NE5517DR2 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Verstärkertyp | Transconductance |
Anzahl der Stromkreise | 2 |
Ausgabetyp | Push-Pull |
Anstiegsrate | 50V/µs |
Bandbreitenprodukt gewinnen | 2MHz |
-3db Bandbreite | - |
Strom - Eingangsvorspannung | 400nA |
Spannung - Eingangsoffset | 400µV |
Strom - Versorgung | 2.6mA |
Strom - Ausgang / Kanal | 650µA |
Spannung - Versorgung, Single / Dual (±) | 4V ~ 44V, ±2V ~ 22V |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Supplier Device Package | 16-SOIC |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NE5517DR2 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NE5517DR2-FT |
ISL28273FAZ-T7
Renesas Electronics America Inc.
ISL28274FAZ
Renesas Electronics America Inc.
ISL28274FAZ-T7
Renesas Electronics America Inc.
ISL28276IAZ
Renesas Electronics America Inc.
ISL28276IAZ-T7
Renesas Electronics America Inc.
ISL28278FAZ
Renesas Electronics America Inc.
ISL28278FAZ-T7
Renesas Electronics America Inc.
ISL28476FAZ
Renesas Electronics America Inc.
ISL28476FAZ-T7
Renesas Electronics America Inc.
ISL28478FAZ
Renesas Electronics America Inc.
EX128-TQ64I
Microsemi Corporation
XC2S100-5TQG144I
Xilinx Inc.
EP2C20F484C8
Intel
10AX022E3F27I2LG
Intel
EP4S100G4F45I3N
Intel
A40MX04-FPL84
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4M132C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HC-5MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C6Q240I7N
Intel
EP4SGX360FF35C2XN
Intel