Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - RF / NE68133-T1B-R35-A
Herstellerteilenummer | NE68133-T1B-R35-A |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NE68133-T1B-R35-A |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NE68133-T1B-R35-A Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | NPN |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 10V |
Frequenz - Übergang | 9GHz |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.2dB @ 1GHz |
Gewinnen | 13dB |
Leistung max | 200mW |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 125 @ 20mA, 8V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 65mA |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Supplier Device Package | SOT-23 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NE68133-T1B-R35-A Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NE68133-T1B-R35-A-FT |
NE52418-T1-A
CEL
NE67718-A
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NE67718-T1-A
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NE68018-A
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NE68118-A
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NE68118-T1-A
CEL
NE68518-A
CEL
XC7K410T-2FBG676C
Xilinx Inc.
A42MX16-2PQG208I
Microsemi Corporation
5CGXBC4C6F27C7N
Intel
EPF10K200EBC600-2
Intel
EP3C40F484C6
Intel
5SGXEA5N2F40C3N
Intel
10CX220YF780E5G
Intel
5SGXEA9N3F45I3L
Intel
5SGXEB9R2H43I3N
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG256C
Lattice Semiconductor Corporation