Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - RF / NE68139-T1
Herstellerteilenummer | NE68139-T1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NE68139-T1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NE68139-T1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | NPN |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 10V |
Frequenz - Übergang | 9GHz |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.2dB ~ 2dB @ 1GHz |
Gewinnen | 13.5dB |
Leistung max | 200mW |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 50 @ 7mA, 3V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 65mA |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-253-4, TO-253AA |
Supplier Device Package | SOT-143 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NE68139-T1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NE68139-T1-FT |
BFS17SE6327HTSA1
Infineon Technologies
BFU520XRR
NXP USA Inc.
BFU520XRVL
NXP USA Inc.
BFU530XRR
NXP USA Inc.
BFU530XRVL
NXP USA Inc.
BFU550XRR
NXP USA Inc.
BFU550XRVL
NXP USA Inc.
BFP182RE7764HTSA1
Infineon Technologies
BFG310/XR,215
NXP USA Inc.
BFG325/XR,215
NXP USA Inc.