Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - RF / NE681M03-T1-A
Herstellerteilenummer | NE681M03-T1-A |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-NE681M03-T1-A |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NE681M03-T1-A Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | NPN |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 10V |
Frequenz - Übergang | 7GHz |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.4dB ~ 2.7dB @ 1GHz |
Gewinnen | - |
Leistung max | 125mW |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 80 @ 7mA, 3V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 65mA |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOT-623F |
Supplier Device Package | M03 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NE681M03-T1-A Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NE681M03-T1-A-FT |
MS1019
Microsemi Corporation
MS1030
Microsemi Corporation
MS1030DE
Microsemi Corporation
MS1051
Microsemi Corporation
MS1076
Microsemi Corporation
MS1076A
Microsemi Corporation
MS1076C
Microsemi Corporation
MS1087T
Microsemi Corporation
MS1202
Microsemi Corporation
MS1227
Microsemi Corporation
A54SX32-1TQ144M
Microsemi Corporation
XC2VP40-7FGG676C
Xilinx Inc.
AGL600V5-FGG256
Microsemi Corporation
EP4CE6F17C7
Intel
5SGXEA7K3F40I4N
Intel
5SGXEA4H1F35C1N
Intel
XC7V585T-2FFG1761C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4B256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F45I2SG
Intel
EP2SGX130GF1508C4
Intel