Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - RF / NE681M13-A
Herstellerteilenummer | NE681M13-A |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NE681M13-A |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NE681M13-A Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | NPN |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 10V |
Frequenz - Übergang | 7GHz |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.4dB ~ 2.7dB @ 1GHz |
Gewinnen | - |
Leistung max | 140mW |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 80 @ 7mA, 3V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 65mA |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOT-3 |
Supplier Device Package | M13 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NE681M13-A Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NE681M13-A-FT |
MS1030
Microsemi Corporation
MS1030DE
Microsemi Corporation
MS1051
Microsemi Corporation
MS1076
Microsemi Corporation
MS1076A
Microsemi Corporation
MS1076C
Microsemi Corporation
MS1087T
Microsemi Corporation
MS1202
Microsemi Corporation
MS1227
Microsemi Corporation
MS1337
Microsemi Corporation
XC3S100E-5VQG100C
Xilinx Inc.
AFS1500-2FGG484I
Microsemi Corporation
A3P400-1PQG208I
Microsemi Corporation
A3PN060-Z1VQG100
Microsemi Corporation
10AX027E2F29E2LG
Intel
XC5VLX110-3FF1153C
Xilinx Inc.
XC7VX485T-1FF1927I
Xilinx Inc.
XC7S6-2CPGA196C
Xilinx Inc.
EP3SE80F780C4LN
Intel
EPF10K30AQI208-3
Intel