Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - RF / NE685M03-T1-A
Herstellerteilenummer | NE685M03-T1-A |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-NE685M03-T1-A |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NE685M03-T1-A Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | NPN |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 5V |
Frequenz - Übergang | 12GHz |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz |
Gewinnen | - |
Leistung max | 125mW |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 75 @ 10mA, 3V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 30mA |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOT-623F |
Supplier Device Package | M03 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NE685M03-T1-A Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NE685M03-T1-A-FT |
MS1051
Microsemi Corporation
MS1076
Microsemi Corporation
MS1076A
Microsemi Corporation
MS1076C
Microsemi Corporation
MS1087T
Microsemi Corporation
MS1202
Microsemi Corporation
MS1227
Microsemi Corporation
MS1337
Microsemi Corporation
MS1406
Microsemi Corporation
MS1579
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-SG48ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S100E-4VQ100I
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG208A
Microsemi Corporation
A3P125-VQG100
Microsemi Corporation
10CL055YF484C8G
Intel
10AX032H2F34E2SG
Intel
LFXP6C-3QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-2100E-5MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF29I5G
Intel
EP4CE40F29I8LN
Intel