Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - RF / NE851M33-T3-A
Herstellerteilenummer | NE851M33-T3-A |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NE851M33-T3-A |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NE851M33-T3-A Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | NPN |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 5.5V |
Frequenz - Übergang | 4.5GHz |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz |
Gewinnen | - |
Leistung max | 130mW |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 100 @ 5mA, 1V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 3-SMD, Flat Leads |
Supplier Device Package | 3-SuperMiniMold (M33) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NE851M33-T3-A Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NE851M33-T3-A-FT |
MS1612
Microsemi Corporation
MS1701
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MS2203
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10AX066K3F40I2LG
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