Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - RF / NE85619-T1
Herstellerteilenummer | NE85619-T1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NE85619-T1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NE85619-T1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | NPN |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 12V |
Frequenz - Übergang | 4.5GHz |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.4dB ~ 2.2dB @ 1GHz ~ 2GHz |
Gewinnen | 6.5dB ~ 12.5dB |
Leistung max | 100mW |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 80 @ 20mA, 10V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOT-523 |
Supplier Device Package | SOT-523 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NE85619-T1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NE85619-T1-FT |
BFU550VL
NXP USA Inc.
BFU550XVL
NXP USA Inc.
BFU520WX
NXP USA Inc.
BFU550WX
NXP USA Inc.
BFS25A,115
NXP USA Inc.
BFU520WF
NXP USA Inc.
BFU530WF
NXP USA Inc.
BFU530WX
NXP USA Inc.
BFU550WF
NXP USA Inc.
BFQ67W,115
NXP USA Inc.
XC6SLX100T-3CSG484C
Xilinx Inc.
XA3S1200E-4FTG256I
Xilinx Inc.
XA6SLX25-2FTG256Q
Xilinx Inc.
M2GL090TS-FCSG325I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-1FG256I
Microsemi Corporation
A54SX72A-2PQ208
Microsemi Corporation
EP20K600EFC672-1XN
Intel
5SGXEB6R3F40I4N
Intel
10AX027E2F27E2LG
Intel
LCMXO640C-4BN256C
Lattice Semiconductor Corporation