Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - RF / NE85633-R23-A
Herstellerteilenummer | NE85633-R23-A |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NE85633-R23-A |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NE85633-R23-A Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | NPN |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 12V |
Frequenz - Übergang | 7GHz |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.1dB @ 1GHz |
Gewinnen | 11.5dB |
Leistung max | 200mW |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 50 @ 20mA, 10V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Supplier Device Package | SOT-23 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NE85633-R23-A Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NE85633-R23-A-FT |
NE67818-A
CEL
NE67818-T1-A
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NE85618-T1-A
CEL
XC3S4000-4FGG900I
Xilinx Inc.
XC6VLX75T-2FFG484I
Xilinx Inc.
A54SX16A-PQG208M
Microsemi Corporation
M1A3P400-PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEA4K3F40I3LN
Intel
AGL125V2-FG144
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300E-5MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
10M02SCM153C8G
Intel
EP3CLS70F780C7
Intel
EPF10K100EQC240-1
Intel