Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - RF / NE85633-R24-A
Herstellerteilenummer | NE85633-R24-A |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NE85633-R24-A |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NE85633-R24-A Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | NPN |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 12V |
Frequenz - Übergang | 7GHz |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.1dB @ 1GHz |
Gewinnen | 11.5dB |
Leistung max | 200mW |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 80 @ 20mA, 10V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Supplier Device Package | SOT-23 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NE85633-R24-A Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NE85633-R24-A-FT |
NE67818-T1-A
CEL
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START405TR
STMicroelectronics
EPF10K10ATC144-3
Intel
LFXP6C-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
M1A3PE3000-PQG208I
Microsemi Corporation
M1AFS1500-1FGG676I
Microsemi Corporation
A42MX16-FTQG176
Microsemi Corporation
LFEC10E-4Q208I
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EP1S40F1508C7N
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EP1AGX60DF780I6N
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