Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - RF / NE85633-T1B-R25-A
Herstellerteilenummer | NE85633-T1B-R25-A |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NE85633-T1B-R25-A |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NE85633-T1B-R25-A Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | NPN |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 12V |
Frequenz - Übergang | 7GHz |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.1dB @ 1GHz |
Gewinnen | 11.5dB |
Leistung max | 200mW |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 125 @ 20mA, 10V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Supplier Device Package | SOT-23 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NE85633-T1B-R25-A Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NE85633-T1B-R25-A-FT |
NE68518-T1-A
CEL
NE85618-A
CEL
NE85618-T1-A
CEL
START405TR
STMicroelectronics
START499ETR
STMicroelectronics
HFA3134IHZ96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3135IHZ96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3134IH96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3135IH96
Renesas Electronics America Inc.
MMBTH11
ON Semiconductor
XC3S100E-5VQG100C
Xilinx Inc.
AFS1500-2FGG484I
Microsemi Corporation
A3P400-1PQG208I
Microsemi Corporation
A3PN060-Z1VQG100
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XC5VLX110-3FF1153C
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XC7VX485T-1FF1927I
Xilinx Inc.
XC7S6-2CPGA196C
Xilinx Inc.
EP3SE80F780C4LN
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