Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - RF / NE85634-A
Herstellerteilenummer | NE85634-A |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NE85634-A |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NE85634-A Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | NPN |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 12V |
Frequenz - Übergang | 6.5GHz |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.1dB @ 1GHz |
Gewinnen | 9dB |
Leistung max | 2W |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 50 @ 20mA, 10V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-243AA |
Supplier Device Package | SOT-89 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NE85634-A Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NE85634-A-FT |
MMBTH10-7-F
Diodes Incorporated
BFQ31ATA
Diodes Incorporated
BFQ31ATC
Diodes Incorporated
BFS17HTA
Diodes Incorporated
BFS17HTC
Diodes Incorporated
BFS17TA
Diodes Incorporated
FMMT5179TA
Diodes Incorporated
FMMT5179TC
Diodes Incorporated
FMMT918TA
Diodes Incorporated
FMMT918TC
Diodes Incorporated
XC6SLX100T-3CSG484C
Xilinx Inc.
XA3S1200E-4FTG256I
Xilinx Inc.
XA6SLX25-2FTG256Q
Xilinx Inc.
M2GL090TS-FCSG325I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-1FG256I
Microsemi Corporation
A54SX72A-2PQ208
Microsemi Corporation
EP20K600EFC672-1XN
Intel
5SGXEB6R3F40I4N
Intel
10AX027E2F27E2LG
Intel
LCMXO640C-4BN256C
Lattice Semiconductor Corporation