Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - RF / NE85634-T1-RF-A
Herstellerteilenummer | NE85634-T1-RF-A |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NE85634-T1-RF-A |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NE85634-T1-RF-A Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | NPN |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 12V |
Frequenz - Übergang | 6.5GHz |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.1dB @ 1GHz |
Gewinnen | 9dB |
Leistung max | 1.2W |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 125 @ 20mA, 10V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-243AA |
Supplier Device Package | SOT-89 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NE85634-T1-RF-A Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NE85634-T1-RF-A-FT |
MS1801
Microsemi Corporation
MS2091H
Microsemi Corporation
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Microsemi Corporation
MS2200
Microsemi Corporation
MS2200A
Microsemi Corporation
MS2201
Microsemi Corporation
MS2202
Microsemi Corporation
MS2203
Microsemi Corporation
MS2204
Microsemi Corporation
MS2205
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XC3S100E-5VQG100C
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AFS1500-2FGG484I
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A3P400-1PQG208I
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A3PN060-Z1VQG100
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10AX027E2F29E2LG
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XC5VLX110-3FF1153C
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XC7VX485T-1FF1927I
Xilinx Inc.
XC7S6-2CPGA196C
Xilinx Inc.
EP3SE80F780C4LN
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EPF10K30AQI208-3
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