Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - RF / NE85639-T1-R27-A
Herstellerteilenummer | NE85639-T1-R27-A |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NE85639-T1-R27-A |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NE85639-T1-R27-A Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | NPN |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 12V |
Frequenz - Übergang | 9GHz |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.1dB @ 1GHz |
Gewinnen | 13dB |
Leistung max | 200mW |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 50 @ 20mA, 10V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-253-4, TO-253AA |
Supplier Device Package | SOT-143 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NE85639-T1-R27-A Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NE85639-T1-R27-A-FT |
MS2091H
Microsemi Corporation
MS2092H
Microsemi Corporation
MS2200
Microsemi Corporation
MS2200A
Microsemi Corporation
MS2201
Microsemi Corporation
MS2202
Microsemi Corporation
MS2203
Microsemi Corporation
MS2204
Microsemi Corporation
MS2205
Microsemi Corporation
MS2206
Microsemi Corporation
EPF10K50ETC144-3N
Intel
M2GL025TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
AGL125V5-VQG100
Microsemi Corporation
10CL025YU256C6G
Intel
5SGXMB5R3F43C2N
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5SGXMA5H3F35I3LN
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EP3SL340H1152C4L
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LFXP20C-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7F31C6N
Intel
10AX090N4F40I3SG
Intel