Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - RF / NE85639-T1-R28-A
Herstellerteilenummer | NE85639-T1-R28-A |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NE85639-T1-R28-A |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NE85639-T1-R28-A Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | NPN |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 12V |
Frequenz - Übergang | 9GHz |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.1dB @ 1GHz |
Gewinnen | 13dB |
Leistung max | 200mW |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 50 @ 20mA, 10V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-253-4, TO-253AA |
Supplier Device Package | SOT-143 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NE85639-T1-R28-A Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NE85639-T1-R28-A-FT |
MS2092H
Microsemi Corporation
MS2200
Microsemi Corporation
MS2200A
Microsemi Corporation
MS2201
Microsemi Corporation
MS2202
Microsemi Corporation
MS2203
Microsemi Corporation
MS2204
Microsemi Corporation
MS2205
Microsemi Corporation
MS2206
Microsemi Corporation
MS2206A
Microsemi Corporation
XC2S150-5FG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX45-L1FGG484C
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG208
Microsemi Corporation
EP20K400CF672C9
Intel
5CGXFC5C6F27C6N
Intel
5AGXBA1D6F27C6N
Intel
XC6VHX380T-3FFG1154C
Xilinx Inc.
XC7S25-2CSGA324I
Xilinx Inc.
LCMXO3L-2100C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGZME3H3F35I4N
Intel