Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - RF / NE856M02-AZ
Herstellerteilenummer | NE856M02-AZ |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-NE856M02-AZ |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NE856M02-AZ Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | NPN |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 12V |
Frequenz - Übergang | 6.5GHz |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.1dB @ 1GHz |
Gewinnen | 12dB |
Leistung max | 1.2W |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 50 @ 20mA, 10V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-243AA |
Supplier Device Package | SOT-89 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NE856M02-AZ Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NE856M02-AZ-FT |
BFU530R
NXP USA Inc.
BFU530XAR
NXP USA Inc.
BFU550XAR
NXP USA Inc.
BFP181E7764HTSA1
Infineon Technologies
BFP196E6327HTSA1
Infineon Technologies
2SC4093-A
CEL
2SC4093-T1-A
CEL
2SC4094-A
CEL
2SC4094-T1-A
CEL
2SC4095-A
CEL
XC3S500E-4VQG100C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-2FG484C
Xilinx Inc.
XC6SLX100T-4FGG484C
Xilinx Inc.
EP3C55F484C8N
Intel
10M08SCE144C8G
Intel
5SGXEA4K2F35C2L
Intel
A42MX16-1PQ160
Microsemi Corporation
AGL1000V2-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FT324I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H2F34E1SG
Intel