Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - RF / NE856M02-T1-AZ
Herstellerteilenummer | NE856M02-T1-AZ |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NE856M02-T1-AZ |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NE856M02-T1-AZ Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | NPN |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 12V |
Frequenz - Übergang | 6.5GHz |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.1dB @ 1GHz |
Gewinnen | 12dB |
Leistung max | 1.2W |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 50 @ 20mA, 10V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-243AA |
Supplier Device Package | SOT-89 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NE856M02-T1-AZ Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NE856M02-T1-AZ-FT |
BFQ31ATC
Diodes Incorporated
BFS17HTA
Diodes Incorporated
BFS17HTC
Diodes Incorporated
BFS17TA
Diodes Incorporated
FMMT5179TA
Diodes Incorporated
FMMT5179TC
Diodes Incorporated
FMMT918TA
Diodes Incorporated
FMMT918TC
Diodes Incorporated
FMMTH10TA
Diodes Incorporated
FMMTH10TC
Diodes Incorporated
M1A3PE1500-PQG208I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-6900C-5BG400I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16P-1VQ100M
Microsemi Corporation
EPF10K30EFC256-1
Intel
XC7VX550T-1FFG1927C
Xilinx Inc.
XC7S25-1CSGA324Q
Xilinx Inc.
LFXP2-5E-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45CU17C4
Intel
EP4SGX110HF35C3
Intel