Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - RF / NE856M02-T1-AZ
Herstellerteilenummer | NE856M02-T1-AZ |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NE856M02-T1-AZ |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NE856M02-T1-AZ Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | NPN |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 12V |
Frequenz - Übergang | 6.5GHz |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.1dB @ 1GHz |
Gewinnen | 12dB |
Leistung max | 1.2W |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 50 @ 20mA, 10V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-243AA |
Supplier Device Package | SOT-89 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NE856M02-T1-AZ Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NE856M02-T1-AZ-FT |
BFQ31ATC
Diodes Incorporated
BFS17HTA
Diodes Incorporated
BFS17HTC
Diodes Incorporated
BFS17TA
Diodes Incorporated
FMMT5179TA
Diodes Incorporated
FMMT5179TC
Diodes Incorporated
FMMT918TA
Diodes Incorporated
FMMT918TC
Diodes Incorporated
FMMTH10TA
Diodes Incorporated
FMMTH10TC
Diodes Incorporated
M2GL025TS-1VFG256
Microsemi Corporation
5SGSMD8N1F45C2N
Intel
EP4S40G5H40I2
Intel
5SGXEA4H2F35C2LN
Intel
XC5VLX155T-2FFG1136I
Xilinx Inc.
ICE40UL640-CM36AI
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-35E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB1H4F35I3G
Intel
5SGXEA3H2F35C2L
Intel